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分立半导体产品晶体管-FET,MOSFET IRFR5305TRPBF
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分立半导体产品晶体管-FET,MOSFET IRFR5305TRPBF

技术 MOSFET (金属氧货物) 漏源电压(VDSS) 55 V 25℃时电流--连续漏极(ID)31A (Tc) 驱动电压(最大 Rds on, 最小Rds on,)10V 不同 Id ‘vgs 时导通电阻(最大值)65 豪欧@16A,10V 不同 Id时 ‘vgs (th)(最大值)4V@ 250 不同 Id ‘vgs 时栅极电荷(Qg)(最大值)63 nc @10V vgs(最大值)+20V 不同 Id ‘vgs 时输入电容(ciss)(最大值)1200pF @ 25V
市场价格:yen15.47
本店价格:yen11.9
商品编号:IRFR5305TRPBF
商品库存:1000
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类别  分立半导体产品晶体管-FET,MOSFET-单个
制造商 lnfineon  Technologies
系列HEXFET
包装 卷带(TR)剪切带(CT)DIgi-Reel
零件状态 在售
FET  类型  P  通道
技术  MOSFET  (金属氧货物)
漏源电压(VDSS) 55 V
25℃时电流--连续漏极(ID)31A (Tc)
驱动电压(最大 Rds on, 最小Rds on,)10V
不同 Id ‘vgs  时导通电阻(最大值)65 豪欧@16A,10V
不同 Id时 ‘vgs  (th)(最大值)4V@ 250
不同 Id ‘vgs  时栅极电荷(Qg)(最大值)63 nc @10V
vgs(最大值)+20V
不同 Id ‘vgs 时输入电容(ciss)(最大值)1200pF @ 25V
FET 功能-
功率耗散(最大值)110W(TC)
工作温度-55℃~175℃(TJ)
安装类型 表面贴装型
供应商器件封装D-Pak
封装/外壳 TO-252-3,DPak (2引线+接片),SC-63
基本产品编号  IRFR5305


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